Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Reliability of charge trapping (CT) devices has been examined in detail, and the path to sub-30nm NAND flash is investigated. All CT devices are vulnerable to edge effects (non-uniform injection and non-uniform Vt along the device width). This degrades both the endurance and the ISPP programming efficiency, but the effect can be minimized by careful engineering. Metal gate and high-K dielectric can...
Several novel negative Fowler-Nordheim (FN) operations for hot-hole-erased SONOS-type devices are studied. By using p+-poly gate instead of n+-poly gate, gate injection is greatly suppressed, and the device shows self-convergent VT after -FN. By using this self-converging property, -FN operation can be applied to both erased and programmed states in various sequences/algorithms. In the erase state,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.