Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Our germanium on silicon avalanche photodiodes (Ge/Si APDs) show a 1310nm sensitivity of −22.5dBm at 25.78Gb/s, which is, to our knowledge, the best sensitivity in reported 25Gb/s avalanche photodiodes.
Our CMOS-foundry mass-produced Ge/Si optoelectronic devices have passed the high temperature accelerated aging test, THB test and HAST test, which demonstrate satisfactory reliability and promising potential for non-hermetic applications.
We developed world first 25Gb/s normal incident germanium silicon avalanche photodiode (Ge/Si APD) in a CMOS commercial foundry. The vertically illuminated Ge/Si APDs have a large 3-dB bandwidth (>18GHz) at a high gain (M=8) which is suitable for 100GBASE-ER4 application.
We demonstrate selectively grown Ge/Si avalanche photodetectors with a bandwidth of 10 GHz at gain = 8 at 1310 nm. The high bandwidth-gain-product of 80 GHz and Si monolithic integration capability offer great potentials for future applications.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.