Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A TaO x layer as thin as ∼1nm was inserted at the interface between top Pt electrode and TiO 2 as a restive switching dielectric to find a clue for a control of the resistive switching characteristics. By inserting an ultrathin TaO x layer, a marked change in initial resistance state and an improvement of endurance property were observed. These results can be interpreted in...
An ultrathin ∼1 nm TaOx layer was inserted at the interface between a top Pt electrode and TiO2 as a restive switching dielectric to investigate resistive switching characteristics. A marked change in the initial resistance state and an improvement of the endurance were observed. These results can be interpreted as due to the TaOx layer working as an oxygen reservoir.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.