Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
AlGaN/GaN lateral current regulating diodes (CRDs) featuring Ohmic anodes and hybrid trench cathodes have been proposed and successfully demonstrated on silicon substrates. By the introduction of a trench with a depth of 16.4 nm in the cathode, the regulating current dramatically decreases from 457.4 to 33.1 mA/mm. In such case, the device can deliver a constant current and keep from thermal runaway...
An efficient approach to engineering the Al2O3/GaN positive interface fixed charges by post-dielectric annealing in nitrogen is demonstrated. The remarkable reduction of interface fixed charges from $1.44 \times 10^{13}$ to $3 \times 10^{12}$ cm−2 was observed, which leads to a record high threshold voltage ($V_{\mathrm{ TH}})$ of 7.6 V obtained in the Al2O3/GaN MOSFETs. The significantly reduced...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.