Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We examined effects of ion implantation doses, annealing temperature and time on ion-beam synthesis (IBS) of polycrystalline β-FeSi 2 using Raman spectroscopy. It was confirmed that at very low Fe concentration doses (up to 1x10 16 ions/cm 2 ), fine grains of β-FeSi 2 and a small amount of fluorite γ-FeSi 2 may precipitate after annealing at 800 o ...
We present the first evident photovoltaic responses from ion-beam synthesized (IBS) polycrystalline p-type β-FeSi 2 /n-Si(100) heterojunctions. The triple ion implantation and subsequent annealing at 800 o C provided polycrystalline continuous layers ~60-nm thick with large crystalline grains of ~10 μm. The high temperature and long annealing time were very effective in amplifying...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.