Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Herein, the effect of temperature on the switching characteristics and the conduction mechanism of the Ti/SiNx/Pt resistive random access memory device is investigated. The switching behavior of the device is investigated by comparing the I–V curves of the device in the temperature range of RT‐653 K. The temperature dependence of the current and the conduction mechanism of the device within RT‐463...
The characteristics and conductive mechanism of Ta/SiNx/Ta:SiNx/SiNx/Pt resistive random access memory (RRAM) are investigated. Compared with Pt‐doped devices with the same structure, the Ta‐doped devices produce lower operation current in a high resistance state and a larger on/off radio. Furthermore, reliability tests show that the Ta‐doped RRAM has good data retention ability and endurance. Ta...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.