The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
Celem pracy było porównanie komercyjnie dostępnych oraz opracowanych nowych folii szklano-ceramicznych pod kątem predyspozycji do zastosowań w elektronice mikrofalowej. Wytworzone technologią LTCC porowate oraz lite kompozyty LTCC bazujące na ceramice Al2O3 lub kordierycie zostały poddane analizie SEM z EDS, która ujawniła ich niejednolitą strukturę wewnętrzną. Przeprowadzono pomiary przenikalności...
Zogniskowana wiązka jonów (Focused Ion Beam - FIB) stanowi uniwersalne narzędzie tworzenia, modyfikacji i badania mikro- i nanostruktur elektronicznych i fotonicznych. umożliwia trawienie wzorów oraz nanoszenie warstw metalicznych i dielektrycznych z bardzo wysoką rozdzielczością przestrzenną. Wiązka jonowa może służyć do unikalnego obrazowania preparatów niemożliwego w skaningowej mikroskopii elektronowej...
Przedstawione są wyniki badań nanocząstek krzemowych wytworzonych w wielowarstwowych strukturach azotku krzemu. Celem badań jest opracowanie nowych materiałów półprzewodnikowych w postaci supersieci kwantowych. Materiały te mogą zostać wykorzystane do ogniw trzeciej generacji np. w ogniwach tandemowych opartych na krzemie.
Przedstawiono wyniki charakteryzacji struktur wielowarstwowych Ni/Si dla kontaktów omowych do węglika krzemu. Struktury po kolejnych etapach wygrzewania badane były metodami mikroskopii elektronowej. W warstwach kontaktowych zaobserwowano charakterystyczne defekty: luki oraz nieciągłości rozciągające się poprzez całą grubość warstwy. Zostało zaproponowane wytłumaczenie mechanizmów prowadzących do...
BCl3plasma for reactive ion etching of GaAs and GaSb structure have been examined as a function process parameters: RF power, BCl3pressure and gas additive (Ar, N2). High rate etching of GaSb from 110 nm/min. to 1600 nm/min. is well controlled by RF power, BCl3pressure and it can be increased up to 2 times by an additional Microwave Downstream (MVDS). Smooth etched surface morphologies were obtained...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.