Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The doping characteristics of P-GaP layer in AlGaInP red LED has been studied, by changing the low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) system's growth temperature. Several epitaxial samples, which grown at different temperatures of LP-MOCVD, have been tested by ECV system. The results have been shown,that the doping density and the surface of GaP layer and the characteristics...
The substrate angle and impurity flow restrictions on doping concentration of P-type AlGaInP cladding layer have been studied by using ECV( Electrochemical Capacitance Voltage) measurement. The experimental results show that the angle of 15° to the substrate than 2° is easier to achieve high doping concentration with Mg impurity at the same condition, furthermore, the doping concentration increase...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.