Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we present a cost-effective 28 nm CMOS technology for low power (LP) applications based on a high-k, single-metal-gate-first architecture. We report raw gate densities up to 4200 kGate/mm2, and, using the ARM Cortex-R4F as a reference, we report achievement of an overall 2.4x area reduction in 28 nm from 45 nm technology. Our high-density SRAM bit-cell (area= 0.120mm2) has a demonstrated...
This paper presents for the first time a full 32 nm CMOS technology for high data rate and low operating power applications using a conventional high-k with single metal gate stack. High speed digital transistors are demonstrated 22% delay reduction for ring oscillator (RO) at same power versus previous SiON technology. Significant matching factor (AVT) improvement (AVT~2.8 mV.um) and low 1/f noise...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.