Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The crystallization of amorphous thin films was achieved by 13.56 MHz RF (radio frequency) plasma treatment. This crystallization process has a strong advantage that the sample temperature is lower than 120 °C during the plasma treatment even without compulsory cooling and various amorphous films are crystallized after 2 min or so. This treatment works on amorphous films of various materials, independently...
The crystallization of amorphous thin films was achieved by radiofrequency (RF) plasma treatment. Although various amorphous films are crystallized after 2 min or so, the sample temperature is lower than 150 °C without compulsory cooling even when the films are treated for 1 h. This treatment works on amorphous films of various materials, independently of the film preparation method and substrate...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.