Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The air-sensitivity of the poly-Si interface in MOS transistors and its impact on the electrical properties are studied. It is found that the gate leakage localized near the side of air-exposed edges is possibly caused by air-induced degradation of the poly-Si interface, which supplies mobile NH3-like species to the gate edge side surface, resulting in the formation of a non-stoichiometric as well...
The diffusion behavior of hydrogen contained in the surface layer of oxynitrides serving as models for poly-Si/oxynitride interfaces in MOS transistors was studied with H depth profiling by nuclear reaction analysis. The poly-Si/oxynitride interface is found to contain mobile and stable H species. The mobile H species tends to desorb in vacuum at room temperature. A TDDB improvement caused by resting...
We compare the electrical properties and interface characteristics in terms of nitrogen depth distribution and hydrogen diffusion behavior of two CVD oxide tunnel films that were nitrided by NO and N2O gas, respectively. The N2O-oxynitride shows a stronger resistance against the approach of the SiO2/Si interface by diffusing hydrogen in nuclear reaction analysis. This H diffusion behavior correlates...
Interface characteristics with respect to nitrogen-distribution and hydrogen-diffusion behavior were evaluated for two model tunnel oxides nitrided by NO and N2O gas, respectively. Nuclear reaction analysis reveals a different resistance of the two interfaces against the approach by H, which allows us to correlate the characteristic N-distribution of the tunnel oxide with a H-diffusion barrier. From...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.