Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The cascode structure is widely used for high-voltage normally-on GaN devices. However, the capacitance mismatch between the high-voltage GaN device and the low-voltage normally-off Si MOSFET may induce several undesired features, such as Si MOSFET reaches avalanche during turn-off and the high-voltage GaN device loses zero-voltage switching turn-on condition internally during a soft-switching turn-on...
With ever increasing demands of smaller size, lighter weight for all forms of consumer electronics, efficient power conversion with higher operating frequency has always being pursued rigorously. This paper demonstrates high frequency, high efficiency and high power density design of active clamp flyback converter for adapter application. Both the primary and secondary switches are gallium nitride...
High frequency is the major catalyst for size reduction in the advancement of power conversion technology. It is essential to understand the EMI characteristic of high frequency converter since the EMI filter typically occupies one third of total system volume. This paper presents an insight view of CM/DM noise transformation in Flyback converter for low power adapter applications. The so-called mixed-mode...
Cascode structure is widely used for high voltage normally-on GaN devices. However, the capacitance mismatch between the high voltage GaN device and the low voltage normally-off Si MOSFET may induce several undesired features, such as Si MOSFET reaches avalanche during turn-off, and high voltage GaN device loses ZVS turn-on condition internally during soft-switching turn-on process in every switching...
Synchronous rectifier (SR) is widely used in flyback converter to reduce the output side conduction loss in order to meet the system conversion efficiency requirement. The conventional SR driving methods are not suitable for high frequency (>500kHz) application. This paper proposes a novel SR driving method for MHz flyback converter operating at critical conduction mode (CRM). A RC network is in...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.