Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Silicon–Germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs) with a low emitter doping concentration (LEC) are investigated with respect to their electrical characteristics in dependence of the Germanium profile shape. The study is based on one-dimensional (1D) device simulation using a realistic doping and Ge profile as baseline. While keeping the doping profile unchanged the Ge profile is...
Heat flow in short emitter length bipolar devices in trench-isolated technologies is investigated through three-dimensional numerical thermal simulation, and thermal conduction through the trench walls is shown to be important for these structures. A new model is presented which predicts the thermal resistance of bipolar transistors in trench-isolated technologies down to emitter lengths of 1.2 μm...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.