Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This work presents the co-integration of resistive random access memory crossbars within a 180 nm Read-Write CMOS chip. -based ReRAMs have been fabricated and characterized with materials and process steps compatible with the CMOS Back-End-of-the-Line. Two different strategies, consisting in insertion of an tunnel barrier layer and the design of a dedicated...
This paper presents a read-write design solution for passive ReRAM crossbar memory arrays to overcome the sneak current paths problem. The proposed circuitry includes an auto-calibration feature to overcome the sneak current effects during the READ operation, and a WRITE protocol to minimize the current at each row and column lines. The presented circuit has been designed in 180nm standard CMOS technology...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.