Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
SPlCE-compatible modeling with generalized lumped devices is used to simulate the spatial and time dependence of photogenerated carriers with standard circuit simulators. Equivalent voltages and currents are used in place of minority carrier excess concentrations and minority carrier currents respectively. The initial light-induced excess carrier concentration in silicon is accounted by means of distributed...
Smart Power IC integrating high voltage devices with low voltage control blocks becomes more and more popular in automotive industry recently. Minority carriers injected into the substrate during switching of high power stages cause malfunction of sensitive nearby low voltage devices. Sometimes this may be destructive due to the presence of triggered latch up. The minority carriers propagation is...
When designing in Smart Power technologies, TCAD simulations are mandatory to design effective passive protections against parasitic couplings due to minority carriers. The objective of this paper is to propose a spice-based approach to characterize electrical key parameters of a passive protection directly within standard IC design flow avoiding time consuming TCAD simulations. Our methodology consists...
In smart power IC technology, low and high voltage circuits are integrated on the same substrate. The commutation of the high voltage circuits can induce substrate parasitic currents which can severely disturb the operation of the low voltage circuits. The parasitic currents due to minority carriers in the high voltage technology can be significantly high. However, the minority carrier propagation...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.