Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Uni-traveling-carrier photodiodes with novel dual-drifting-layer structure is proposed to realize wide bandwidth and high saturation power performance. High-speed operation at high bias voltage is demonstrated by optimizing the electric field profile within the dual-drifting-layer structure.
Depletion region of uni-traveling-carrier photodiodes (UTC-PDs) is optimized. Wide bandwidth of 28.5 GHz and high saturation photocurrent of 38 mA at 20 GHz are achieved for a 14-µm diameter device.
Novel back-to-back uni-traveling-carrier photodiodes are proposed and demonstrated. High responsivity of 0.83 A/W and wide bandwidth over 40 GHz are realized simultaneously in mesa-structure photodiodes for the first time.
A novel back-illuminated mesa-structure back-to-back uni-traveling-carrier photodiode (UTC-PD) is proposed and realized. By stacking two UTC-PDs to form a PINIP structure, high responsivity, high output saturation power, and wide bandwidth are achieved simultaneously. The responsivity of a 24- -diameter device is as high as 0.86 A/W, and a 3-dB bandwidth up to 28.3 GHz is attained. The saturation...
This paper investigated the effects of initial stresses on resonance properties of Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) in thickness-stretch mode. Based on the fundamental piezoelastic equations of piezoelectric material with initial stress, the vibration equation of ideal FBAR under sine excitation voltage is derived. The solution is then obtained by using of the boundary conditions. The series and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.