Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The fabrication of an airbridged low parasitic resonant tunnelling diode is described. The devices were fabricated from strained In/sub 0.1/Ga/sub 0.9/As/GaAs/AlAs layers. They yielded excellent DC characteristics with simultaneously high peak-to-valley current ratios of 7:1 and peak current of 50 kA/cm/sup 2/ at 300 K. RF measurements up to 40 GHz showed that the total parasitic capacitance was 0...
Pseudomorphic Inx, Ga1-x As/GaAs/AlAs resonant tunneling diodes have been fabricated in a microwave compatible technology and tested. The epilayers were designed in a triple well configuration in order to improve the electrical performances of diodes used as harmonic multipliers. The devices exhibited excellent DC characteristics with peak-to-valley current ratios as high as 7:1 along with peak current...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.