Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We show that the performance of InGaN/GaN axial nanowire LEDs is largely limited by the poor carrier injection efficiency. We have further demonstrated high performance phosphor-free white LEDs using InGaN/GaN/AlGaN dot-in-a-wire core-shell heterostructures.
We report on the achievement of InGaN/GaN dot-in-a-wire phosphor-free white light-emitting diodes, which can exhibit a record internal quantum efficiency of ∼57% and virtually zero efficiency droop for injection currents up to ∼2,200 A/cm2.
We report on the achievement of a record high internal quantum efficiency in InGaN/GaN dot-in-a-wire light emitting diodes by significantly reducing the electron overflow and enhancing the hole transport in the device active regions.
In this article, Gallium nitride (GaN) cantilevers integrated with AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are fabricated with a GaN-on-silicon platform, which is fully compatible with the standard HEMTs fabrication process. A type of micro-bending test was used to characterize the piezoresponse of AlGaN/GaN HEMT on the GaN cantilever. The modulation capability of the AlGaN/GaN heterostructures...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.