Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this letter, InAlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with 40–200 nm rectangular gates and 300–700 nm source-to-drain distances were fabricated on Si substrates. The device with 40-nm gate and 300-nm source-to-drain distance exhibited a high drain current of 2.66 A/mm, a transconductance (${g} _{m}$ ) of 438 mS/mm, and a high current gain cutoff frequency (${f} _{T}$ ) of 250 GHz...
A new direct parameter extraction method of small-signal equivalent circuit for radio frequency laterally-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (RF LDMOSFET) with Faraday shield biased in cut-off operation is presented in this paper. A series of analytical equations are derived for non-linear rational function fitting as well as linear regression to measured device frequency response...
We report the demonstration of room-temperature two-color Si-nanocrystal/Si light-emitting diodes, which emit infrared light from silicon and visible emission from the Si-nanocrystal film when Si substrate is forward and reverse biased, respectively.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.