Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Because of the extensive application prospect of flexible electronics, a capacitive humidity sensor fabricated on a flexible porous Polytetrafluoroethylene (PTFE) substrate is reported in this paper. Silver nanowires as a floating electrode were dispersed onto a PTFE substrate. Then, as humidity sensitive material, polyimide (PI) was spin-coated onto the silver nanowires. Finally, a pair of interdigitated...
A black phosphorus humidity sensor with high sensitivity and fast response is reported in this paper. A thin black phosphorus film as the sensitive layer was deposited on an interdigital structure by spin-coating so that the film thickness could be controlled. According to the test results, a BP film with the thickness of 77nm was developed by spin-coating at the rotation rate of 3000r/min. High sensitivity...
This paper reports a capacitive pressure sensor. Like a common capacitor, it consists of three parts: the top electrode, the dielectric layer and the bottom electrode. The dielectric layer consists of the silicon oxide and an air gap. The fabrication process of this structure combines the CMOS process with the post-CMOS MEMS process. The bottom electrode made of polysilicon is formed during the CMOS...
This paper presents a bulk silicon interdigital capacitive temperature sensor based on graphene oxide (GO). Compared with typical CMOS integrated temperature sensors, the sensitivity of this bulk silicon interdigital capacitive temperature sensor was improved significantly by using GO as sensing material, and this temperature sensor can operate in the range of −70° to 40°. The bulk silicon temperature...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.