Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were improved for X-band and Ku-band applications. The power added efficiency (PAE) was achieved over 40% for X-band and over 30% for Ku-band. The developed devices combined two AlGaN/GaN HEMTs of 12 mm gate periphery and exhibited the output power of over 50 W. An AlGaN/GaN HEMT with four dies of 12 mm gate periphery was developed and exhibited...
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were developed for Ku-band applications. The operating voltage characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with combined two dies of 12 mm gate periphery exhibits output power of over 30 W with a power added efficiency (PAE) of 12% under VDS = 30 V, CW operating condition at 14.25 GHz, and a gain compression...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.