Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this letter, the effects of TiN-induced strain engineering on device characteristics for a metal gate/high-k silicon-on-insulator fin-shaped field-effect transistors were studied. From a convergent-beam electron-diffraction analysis and simulation study, a 3-nm TiN electrode was found to lead to significantly higher tensile stress on the Si substrate than a 20-nm TiN electrode. This high stress-induced...
In this paper, we demonstrate an integratable single metal gate (TiSiN) on HfxSixOy with dual work functions (4.44eV and 4.83eV), achieved by varying the metal thickness. These structures may be used for FD-SOI and double gate ultra-thin body devices. Close to symmetric Vt is achieved: 0.32V and -0.37V for long channel FD-SOI nMOS and pMOS devices, respectively. The device shows good sub-threshold...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.