Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
For the first time we report extremely thin SOI (ETSOI) CMOS with 22 nm gate length (LG) and sub-100 nm contacted gate pitch for system-on-chip (SoC) applications. Multi-Vt transistors are demonstrated with competitive drive currents (NFET/PFET) of 1150/1050 µA/µm at Ioff = 100 nA/µm for high performance (HP) and 920/880 µA/µm at Ioff = 1 nA/µm for low power (LP), respectively, at VDD = 1 V. High...
Data retention power gating is a commonly used method for leakage reduction in deep submicron SRAM. However, application of such methods result into reduced stability of the SRAM bitcell. Moreover, reducing supply voltage and increasing process variation put a limitation on such usage in deep submicron processes. Present scheme describes a method to enhance stability while applying such data retention...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.