Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Field effect (FE) a-Si:H solar cell promises an effective increase of conversion efficiency, respect to thin film p-i-n solar cells, by the use of an inversion layer at the cell surface obtained by FEs at amorphous silicon-insulator interface. In particular this structure avoids the presence of a p-doped window layer, which stems from the large absorption coefficient of a-Si:H. The window layer dramatically...
We present an experimental proof of the existence of charged defects related to boron diffusion at the p–i interface of single junction amorphous silicon solar cells. Two different test devices were manufactured substituting the intrinsic absorber layer of a standard p–i–n structure with a boron lightly doped layer or a microcompensated region. Presence of trap states lying around 0.3–0.4 eV above...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.