Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Aluminum oxide (Al 2 O 3 ) thin films were deposited on silicon (100) and quartz substrates by pulsed laser deposition (PLD) at an optimized oxygen partial pressure of 3.0×10 −3 mbar in the substrate temperatures range 300–973K. The films were characterized by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, atomic force microscopy, spectroscopic ellipsometry, UV–visible...
Preparation of γ-alumina thin films by pulsed laser deposition from a sintered α-alumina target is investigated. The films were deposited on (100) silicon substrates at 973K with varying oxygen partial pressures in the range 2.0×10 −5 –3.5×10 −1 mbar. X-ray diffraction results indicated that the films were polycrystalline γ-Al 2 O 3 with cubic structure. The films...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.