Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A low noise amplifier with dB-linear variable gain has been designed and fabricated based on high performance SiGe HBT in this paper. Negative feedback technology has been adopted to change the transmission gain of HBT through variable resistance of a forward biased p-i-n diode in the feedback path. The simulation results and measurement results agree well in frequency of 1.8GHz for CDMA application...
The two-dimensional temperature profile of a multi-finger power SiGe HBT is studied with the electrothermal model, which shows that there is an uneven temperature profile over the device finger for HBT with uniform finger length. Because of the positive current-temperature feedback, the uneven temperature profile will leads to an anomalous current distribution, which eventually caused the thermal...
As an effective and feasible method, the technology of non-uniform emitter finger spacing has been used to alleviate the thermal effects and improve the uneven temperature profile in multi-finger power SiGe HBTs. However, for the HBT with dozens of emitter fingers, designing multiple finger spacing values becomes trivial and time-consuming. In the paper, a new thermal design methodology namely Grouping...
Silicon technologies are enabling ICs capable of operating at millimeter-wave (mm-wave) frequencies, with advantages in design complexity, functionality and cost compared to III-Vs. The potential for application of deep submicron SiGe-BiCMOS and CMOS-SOI technologies in mm-wave systems is surveyed in this paper. Progress in mm-wave silicon IC development for Gbit/s data rate wireless communication...
In this work, a highly integrated 14-band UWB transceiver is designed in a 0.13mum SiGe BiCMOS technology. The chip consumes 425mW during receive mode and 380mW during transmit mode from a split power supply of 2.4 and 1.2V. In this architecture a divide and mix approach is selected to allow the use of a single PLL with one RF VCO and one loop filter. The transmitter is designed to reduce spurious...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.