Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
As an emerging two-dimensional material, few-layer black phosphorus (BP) shows great potential in nanoelectronics and nanophotonics due to its high carrier velocity. However, non-optimized gate dielectrics often degrade the performance of BP devices severely. In this letter, we demonstrate high-performance BP devices using a novel HfLaO as back gate dielectric with improved interface quality. High...
High‐performance MoS2 transistors scaled down to 100 nm are studied at various temperatures down to 20 K, where a highest drive current of 800 μA μm−1 can be achieved. Extremely low electrical noise of 2.8 × 10−10 μm2 Hz−1 at 10 Hz is also achieved at room temperature. Furthermore, a negative differential resistance behavior is experimentally observed and its origin of self‐heating is identified using...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.