Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We proposed a resonant tunneling diode (RTD) with InAlGaAs/InP composite collector for reduction in transit delay caused by the gamma to L valley transition at the collector depletion region. Terahertz oscillators fabricated with this RTD show room-temperature fundamental oscillations of 680–770 GHz with the RTD areas of 1–1.5 square microns. Higher frequency will be possible by reducing the RTD area.
We report on direct and heterodyne detection of output power from InP-based resonant tunneling diode (RTD) oscillator in sub-THz range using InP Schottky barrier diode (SBD). The SBD is Ni-InP and integrated with bow-tie antenna. In the 2nd harmonic heterodyne detection, the spectral linewidth was measured to be 3 and 10 MHz for RTDs oscillating at 373 and 550 GHz, respectively. Measured linewidths...
This paper reports the metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) growth of ultra-thin InAlP/InGaAs heterojunctions for use as wet-etching stoppers in InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) and as barriers in resonant tunneling diodes (RTDs). InAlP/InGaAs modulation-doped (MD) heterojunctions with high electron mobility were successfully grown. Practical wet-etching selectivity in even...
A fundamental oscillation of up to 831 GHz was observed at room temperature in GaInAs/AlAs resonant tunneling diodes integrated with planar slot antennas. The thickness of the collector spacer layer was optimized (20 nm) and the mesa area (<1 mum2) was reduced in order to reduce the resonant tunneling diode capacitance. Reduction in the negative differential conductance in the small mesa area was...
We observed coherent power combination in 3- and 6-element oscillator array using resonant tunneling diodes coupled through planar circuits in sub-THz range. InGaAs/AlAs resonant tunneling diode oscillators with slot antennas are arranged collinearly on the same InP wafer, and coupled with each other through a metal-insulator-metal stub structure. In 3-element array, a single peak at 293 GHz with...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.