Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 4 nm thin transition-metal dichalcogenide (TMD) body FinFET with back gate control is proposed and demonstrated for the first time. The TMD FinFET channel is deposited by CVD. Hydrogen plasma treatment of TMD is employed to lower the series resistance for the first time. The 2 nm thin back gate oxide enables 0.5 V of Vth shift with 1.2 V change in back bias for correcting device variations and dynamically...
For the first time, 10nm Si-based bulk FinFETs 6T SRAM (beta ratio = 2) with novel multiple fin heights technology is successfully demonstrated with 25% better static noise margin at 0.6 V than single fin-height baseline. Meanwhile, presented technology also provides advantage in SRAM cell size by 20% scaling down. It can furthermore offer potential of beyond 10nm Si-based CMOS computing circuit technology.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.