Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
To establish the reliability model of the high-k gate dielectrics in the EOT-scaled regime, the gradual increase of the leakage current during the stress time, which makes the precise detection of the breakdown harder, has been studied. It has been clarified that multiple occurrence of soft breakdown (SBD) at plural local spots is the cause of the gradual increase, along with a large initial leakage...
There are a number of challenges against an actual employment of high-k films in the production, but ultra-thin SiON films cannot survive for low power application anymore. On the other hand, any new materials introduced into ULSI fabrication processes are required to be used for a couple of device generations, so the material selection should be carefully made. We have investigated HfAlON film as...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.