Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
CMOS utilizing high mobility III-V/Ge channels on Si substrates is expected to be one of promising devices for high performance and low power advanced LSIs in the future, because of the enhanced carrier transport properties. However, the device/process/integration technologies of Ge/III-V n- and pMOSFETs for satisfying requirements of future node MOSFETs have not been established yet. In this paper,...
HfO2/Al2O3/GeOx/Ge gate stacks were fabricated by applying the plasma post oxidation to HfO2/Al2O3/Ge structures. These Ge gate stack are shown to simultaneously realize both ultrathin EOT of ∼0.7 nm and low Dit of 1011 cm−2eV−1 order. The superior operation of (100) Ge pMOSFETs with these gate stacks has been demonstrated with record high hole mobility of 596 cm2/Vs under ∼0.8 nm EOT among the Ge...
A novel plasma post oxidation method has been proposed to form an Al2O3/GeOx/Ge gate stack by using oxygen plasma through a thin ALD Al2O3 layer. This Ge gate stack is shown to simultaneously realize both thin EOT of ∼1 nm and low Dit of <1011 cm−2eV−1. Ge pMOSFETs, fabricated by employing this method, have demonstrated superior device operation with high hole mobilities of 437, 526 and 345...
We have successfully demonstrated the CMOS integration of InGaAs nMOSFETs and Ge pMOSFETs with self-align Ni-InGaAs and Ni-Ge metal source/drain (S/D) on a Ge substrate, by using direct wafer bonding (DWB), for the first time. Ni-based metal S/D allows us to fabricate high performance nMOSFETs and pMOSFETs simultaneously at the single-step S/D formation process. The fabricated InGaAs nMOSFET and Ge...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.