Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We introduce an innovative dual-depth shallow trench isolation (dual STI) scheme for Ultra Thin Body and BOX (UTBB) FDSOI architecture. Since in the dual STI configuration wells are isolated from one another by the deepest trenches, this architecture enables a full use of the back bias while staying compatible with both standard bulk design and conventional SOI substrates. We demonstrate in 20nm ground...
For the first time, we extensively review to which extent ion implantation is viable for the design of n-FET transistors with gate length down to 20nm in a FDSOI technology. Three implantation schemes are covered and their potential and limitations are presented in terms of technological challenges and electrical performance.
Applicability of SACVD for doping of 3-D structures was assessed on both flat substrates as well as patterned structures focusing on the optimization of dopant profile within the SACVD film. Boron and phosphorous doped ultra-shallow junctions of 6 and 10 nm respectively are obtained with surface concentration in excess of 1E21 at/cc for this intrinsically conformal and damage-free technique.
We present UTBB devices with a gate length (LG) of 25nm and competitive drive currents. The process flow features conventional gate-first high-k/metal and raised source/drains (RSD). Back bias (Vbb) enables Vt modulation of more than 125mV with a Vbb of 0.9V and BOX thickness of 12nm. This demonstrates the importance and viability of the UTBB structure for multi-Vt and power management applications...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.