Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In order to realize the manufacturing and cost benefits of bumpless wafer-on-wafer (WOW) technology for the advent of 3D stacked devices, creation of through silicon vias (TSV) spanning all layers of the fully formed semiconductor device must be realized. This is particularly challenging for logic devices with multiple interconnect layers comprised of various dielectric films including low k. This...
200-mm and 300-mm device wafers were successfully thinned down to less than 10-μm. A 200-nm non-crystalline layer remaining after the high-rate Back Grind process was partially removed down to 50-nm by Ultra Poligrind process, or was completely removed with either Chemical Mechanical Planarization or Dry Polish. For FRAM device wafers thinned down to 9-μm, switching charge showed no change by the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.