Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
InGaN LEDs on sapphire substrates were simulated using ISE TCAD software. In order to obtain a high output power, 15 pairs of GaN (50 nm)/Al0.27Ga0.73N (52 nm) DBR were introduced between the i-GaN and n-GaN layers. The weak output power resulting from our simulation may be related to the inhomogeneous holes distribution in the quantum wells. Also the piezoelectric field due to strains which determines...
The performance of GaN/AlGaN quantum well was simulated using ATLAS software (Silvaco International Inc.). In this work, we simulated a quantum well active region of GaN with AlGaN cladding layers. Here, we studied the changes in radiative efficiency with the thickness of the active layer from 3 nm to 90 nm and found that the radiative efficiency increases when the thickness of the active layer was...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.