Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We fabricated a coaxial high-current InGaAs/InP p-i-n photodiode module using a small-sized TO-can package with a diameter of 4.8 mm, and demonstrated an RF power output of 25.2 dBm at a frequency of 5 GHz.
Four-channel surface-illuminated photodiodes monolithically integrated in one array chip are fabricated for 100Gbps Ethernet. The photodiode with an optimized distributed Bragg reflector has a 3dB bandwidth of 25GHz and the highest responsivity of 0.92A/W at a 1.3μm wavelength.
We report the 1.27 μm AlInAs APD with high responsivity of 0.93 A/W and wide bandwidth of 8.3 GHz at a multiplication factor of 10 optimized for 10G-EPON (OLT).
We proposed a high-current backside-illuminated InGaAs/InP p-i-n photodiode (PD) with a non-absorbing drift region, and demonstrated an RF power output of 29.0 dBm at 5 GHz, a 3-dB bandwidth of 7 GHz, and a third order intercept point of 31 dBm at 2 GHz using a 70-mum-diameter PD.
The InAlAs avalanche photodiodes that employ a guardring-free structure demonstrate record high reliability of over 10000 hours at a high temperature of 200degC with no degradation in the surfaced pn-junction.
A quasi-planar AllnAs avalanche photodiode (APD) with a lateral n-p-n structure for optical fibre communications is reported. Although both the anode and the cathode contact the n-type regions, it is demonstrated that the n-p-n APD has the same performance as a normal p-n APD. The n-p-n structure enables the p-type conversion process of thermal Zn diffusion to be omitted, and AlInAs with a large gain...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.