Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 16 Gb 4-state MLC NAND flash memory augments the sustained program throughput to 34 MB/s by fully exercising all the available cells along a selected word line and by using additional performance enhancement modes. The same chip operating as an 8 Gb SLC device guarantees over 60 MB/s programming throughput. The newly introduced all bit line (ABL) architecture has multiple advantages when higher...
An 8 kB E2FLASH test-chip is fabricated and reliability tests are executed. The paper shows the P/E cycle dependence of the threshold-voltage distribution and program/erase time. The threshold-voltage distribution does not degrade, and maintains enough margin to the wordline level (4.5 V) even after 1M P/E cycles. Erase time is 10 ms/block (average) for the first P/E cycle and 20 ms/block (average)...
In the diverse world of NAND flash applications, higher storage capacity is not the only imperative. Increasingly, performance is a differentiating factor and is also a way of creating new markets or expanding existing markets. While conventional memory uses, for actual operations, every other cell along a selected word line (WL) (Takeuchi, 2006), this design simultaneously exercises them all. A performance...
A 146 mm/sup 2/ 8 Gb NANO flash memory with 4-level programmed cells is fabricated in a 70 nm CMOS technology. A single-sided pad architecture and extended block-addressing scheme without redundancy is adopted for die size reduction. The programming throughput is 6 MB/s and is comparable to binary flash memories.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.