Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Au/TiN/WSi-gate self-aligned GaAs MESFETs were fabricated using the rapid thermal annealing method to reduce the gate resistance of the FETs. The gate resistance Rg was 4.2 ? (Lg=1.5 ?m, Wg=400 ?m), just 1/20 of that of the WSi-gate FET. The maximum frequency of oscillation fmax of the Au/TiN/WSi-gate FETs was improved to be about twice that of WSi-gate FETs.
Tungsten-silicide-gate self aligned GaAs MESFETs were fabricated on a very thin channel layer formed by implantation through an AlN layer on a semi-insulating GaAs substrate. Transconductance of the through-implanted MESFETs showed a 30 to 50% increase as compared with that of conventional self aligned MESFETs, and reached its maximum value at 300 mS/mm for 1?m-gate-length FETs.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.