Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
PL characteristics of MOCVD-grown InAs QDs using a GaInP cover layer were investigated. It is confirmed that the strain modification effect of the cover layer regardless of growth methods is a cause of wavelength shift of QDs.
GaP-based InAs quantum dots (QDs) on a thin GaP1-xNx buffer layer grown by the low-pressure metalorganic chemical vapor deposition were investigated by the atomic force microscopy. The InAs dot density was significantly increased from 2.6 times 109 cm-2 to 2.0 times 1010 cm-2 with increasing the nitrogen composition of the GaP1-xNx from x = 0 to 4.5. The InAs QDs grown on GaP and GaPN with various...
MOCVD grown self-assembled quantum dot using dilute nitrogen material system (GaInNAs) is presented for GaAs-based long wavelength VCSELs. Suppression of Coalescence and inhomogeneous broadening by incorporating nitrogen into dot structure is particularly discussed.
Multilayer of InAs QD with thin spacer thickness using GaNAs stress compensation layers (SCL) was investigated for the purpose of high modal gain. Multilayer up to 5 layers with 18 nm thin spacer thickness was realized in 1.4 um wavelength range without degradation of optical quality. This result indicates advantage of GaNAs spacer for multi stacking with thin spacer layer thickness.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.