Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We report on the fabrication and electrical characterization of Ω-gated nanowire (NW) array pFETs on SOI. Devices with gate lengths of L = 400nm and L = 2 μm and 〈110〉 - and 〈100〉 - channel orientations were fabricated using a top-down approach. Each device consists of up to 1500 NWs with a crosssection of 20 × 20 nm2. The devices feature excellent electrical characteristics with high on-currents,...
Recent experimental results on Si nanowire MOSFETs are presented. The devices were fabricated in a top-down approach on unstrained and biaxial strained SOI substrates exhibiting good I-V characteristics with Ion/Ioff-ratios of 107 and off-currents as low as 10-13 A. Subthreshold slopes of about 70 mV/dec for SOI n- and p-FETs and 65 mV/dec for strained SOI n-FETs were obtained. The on-current and...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.