Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A polarisation-insensitive GaInAsP/InP laser amplifier with thick active layer and buried facets has been fabricated. The TE and TM gains are equal to within 1 dB at all drive currents and wavelengths.<<ETX>>
A modified single-phase technique for growth of epitaxial layers of the quaternary compound, In1-xGaxAs1-yPy has been used to fabricate high-quality laser structures in the 1.3 and 1.55 μm-wavelength range. This method permits the concentration of small amounts of phosphorus in the InGa:As melt to be maintained accurately and independent of the history of the graphite boat. Growth of planar structures...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.