Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Saturation current-bandwidth product (SCBP), the key of figure of merit in high-speed and high-power photodiodes (PDs), is mainly limited by the tradeoff between carrier drift time in depletion layer and RC-limited bandwidth of conventional PDs. Here, we present a revolutionary photodiode structure: linear-cascade photodiodes (LCPDs), designed to further improve the SCBP performance. Our demonstrated...
We demonstrate linear cascade near-ballistic uni-traveling-carrier photodiodes. Compared with control (a single device), this novel structure exhibits significant improvement in bandwidth-efficiency and saturation-current-bandwidth products. Record-high saturation-current-bandwidth product ( > 6825 mA-GHz, 91GHz) under 50Ω loads can be achieved.
We demonstrated optoelectronic mixers, which are constructed from near-ballistic uni-traveling-carrier photodiodes and band-pass filters. By utilizing strong nonlinearity of electron ballistic-transport, such module achieves low-up-conversion-loss (4.3 dB) and wide-up-conversion-bandwidth (11 GHz) under high-optical-power injection (16.6 dBm) at 30 GHz.
An optoelectronic integrated circuit (OEIC) with flip-chip technology for 1.55- m wavelength application is demonstrated. The presented flip-chip OEIC comprises an InP chip and the carrier substrate. The InP chip consists of an evanescently coupled photodiode (ECPD), an InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) and bonding pads. The semi-insulating GaAs carrier consists of a coplanar waveguide,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.