Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
It was previously shown that the effective contact potential difference (φ MS ) in Al–SiO 2 –Si metal-oxide-semiconductor structures has a “dome-like” shape of distribution over the Al-gate area. In this paper we show that this shape is due to the distribution of the barrier height at the Al–SiO 2 interface and that the characteristic shape of φ MS (x,y) distribution...
The local value distributions of the effective contact potential difference (ECPD or the phi MS factor) over the gate area of Al-SiO2-Si structures were investigated for the first time. A modification of the photoelectric phi MS measurement method was developed, which allows determination of local values of this parameter in different parts of metaloxide-semiconductor (MOS) structures. It was found...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.