The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomic Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).
W artykule przedstawiono analizę właściwości przyrządów kluczujących stosowanych w układach falowników dużej mocy przeznaczonych do zasilania piezoceramicznych przetworników ultradźwiękowych. Szczególny nacisk położono na właściwości dynamiczne przyrządów kluczujących w typowych warunkach pracy obejmujących szeroki zakres temperatur (25 – 80°C). Analizie poddano najnowsze konstrukcje przyrządów –...
W artykule przedstawiono porównanie parametrów tranzystorów MOSFET wykonanych w klasycznej technologii krzemowej (Si) oraz z węglika krzemu (SiC). W szczególności dokonano pomiarów charakterystyk rezystancji dren-źródło (RDS(ON)) w stanie ustalonym od napięcia bramka-źródło (UGS). Wskazano na istotne różnice w charakterystykach tranzystorów SiC w stosunku do Si. Przedstawiono zastosowaną metodę pomiarową...
W artykule zaprezentowano analizę wpływu czynników konstrukcyjno- technologicznych (dokładność fotolitografii, głębokość i profil domieszkowania złączy p-n, parametry warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik, właściwości użytego dielektryka), które są krytyczne z punktu widzenia parametrów elektrycznych tranzystorów MOS mocy (napięcie przebicia, napięcie progowe, maksymalny prąd drenu, prąd upływu...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.