Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents a systematic methodology for designing the adaptation policies of reconfigurable sensor networks. The work is motivated by the need to provide efficient sensing, processing, and networking capabilities under tight hardware, bandwidth, and energy constraints. The design flow includes two main steps: generation of alternative design points representing different performance-cost...
Analog device figures-of-merit change significantly with the introduction of advanced materials and devices such as high-k or multiple-gate FETs. Measurements show enhanced intrinsic gain and matching behavior for MuGFETs which help to reduce area and power consumption in analog circuits. However, high-k degrades matching, flicker noise and Vt stability. Measured device performance is used to simulate...
Analog device figures-of-merit change significantly with the introduction of advanced materials and devices such as high-k or Multiple-Gate FETs. Measurements show enhanced intrinsic gain and matching behavior for MuGFETs which help to reduce area and power consumption in analog circuits. However, high-k degrades matching, flicker noise and Vt stability. Measured device performance is used to simulate...
This paper shows a fully integrated, ESD protected, low-power, low-voltage amplifier designed with a low-cost 0.18 mum SiGe technology. The amplifier achieves 11 dB gain, 8 dB noise figure at 23 GHz and 1 dB compression point of -18 dBm consuming 2.8 mW from the 0.7 V supply voltage. At this frequency the amplifier shows also 9 and 13 dB input and output return losses, respectively. Gain and power...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.