Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
To achieve low write current in high density Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) arrays, it is important to understand and co-optimize the different kinds of device switching currents, governed by different materials parameters. We demonstrate that double magnetic tunnel junctions (DMTJs) lower the switching current threshold Ic0 by a factor of two when compared to conventional...
We report switching performance of perpendicularly magnetized Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM) devices with double tunnel barriers and two reference layers. We show that stacks with double tunnel barriers improve the switching efficiency (Eb/Ic0) by 2x, when compared to similar stacks with a single tunnel barrier. Switching efficiency up to 10 kBT/uA was observed in single devices. A large operating...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.