Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Ta2O5 films of 200 nm thick with and without octadecyltrichlorosilane (OTS) surface modification were prepared and used as gate dielectrics to fabricate pentacene metal–insulator–semiconductor (MIS) capacitors. The dielectric constants of Ta2O5 film and OTS-treated Ta2O5 film were determined to be 20.6 and 19.3 at 1 MHz, and both the films exhibit good permittivity stability and low leakage characteristics...
GeSn nMOSFETs were demonstrated. Key highlights of this work include 400 °C GeSn n+/p junction formation and GeSnO2 interfacial layer formation, and their integration. GeSn n+/p junction demonstrate a high doping concentration of 1020 cm−3 and a record high forward bias current of 320 A/cm2. Substantially improved SS is achieved in GeSn nMOSFET in comparison with Ge control, which indicates the high...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.