Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Two fundamental techniques are presented for high-voltage driver ICs: dielectric isolation based on silicon wafer direct-bonding (DISDB) and a high-voltage junction termination technique (SIPOS resistive field plate). The SIPOS plate shields the external electric field influence on breakdown voltage. DISDB integrates low-voltage logic and high-voltage (500 V) devices and has three structural variations...
Two types of 500-V double-gate lateral N-ch bipolar-mode MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), fabricated on dielectrically isolated p/sup -/ and n/sup -/ silicon islands, were compared. It was found that electrical characteristics for devices on p/sup -/ silicon islands are superior to those of counterpart devices on n/sup -/ silicon islands. It was also shown that double gate...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.