Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
GaAs monolithic variable attenuators have been developed. They operate in a very wide frequency band, are very small, and are controlled by one voltage. Insertion loss of 2-3 dB and a dynamic range of attenuation of 10 dB were obtained in the 2-18 GHz frequency range,
A two-stage X-, Ku-band monolithic FET amplifier has been developed. Initial results indicate a gain of 7-10 dB across the 8-20 GHz band with a typical rf power output of 100 mW. A balanced amplifier consisting of two two-stage amplifiers and a pair of Lange couplers yielded 10.5 +- 1 dB gain from 7.5 to 18 GHz and an output power of 150-250 mW in Ku-band.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.