Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 30-nm operating wavelength range was realized for a 1.3-µm InGaAlAs DML with a 25.8-Gb/s push-pull driving configuration. Clear eye openings, an 8.0-dBm output power, and a 4.0-dB dynamic extinction ratio were obtained.
Incident-power-dependent extinction ratio of electroabsorption modulators is shown and theoretically investigated by using microscopic theory combined with heat-flux calculation. The phenomenon stems from voltage-dependent temperature rise and the calculated results agree well with the experiment.
A 2-km 40-Gb/s transmission from -15 to 80degC is demonstrated using a 1.55-mum InGaAlAs EML for the first time. A power penalty below 2 dB with a dynamic extinction ratio of over 8.2 dB is achieved at -15degC.
An 80-km SMF transmission at 10-Gb/s using a 1.55-mum, InGaAlAs EML was demonstrated over an extended temperature range (-25degC to 100degC). A dynamic extinction ratio of over 9 dB at -25degC was obtained.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.