Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
For sensing short wavelength infrared (SWIR) region (1.0-2.5 mum), photodiodes with In0.53Ga0.47As/GaAs0.5Sb0.5 type II quantum well structure grown on InP substrate by solid source molecular beam epitaxy (MBE), were successfully fabricated. Low dark current was obtained by improving GaAsSb crystalline quality.
We report the fabrication and electrical characteristics of self-shunted Josephson junctions consisting of NbN electrodes, an AlN barrier, and an NbNx normal layer for an SFQ circuit application. To fabricate such junctions with a high characteristic voltage Vc, we have studied their preparation conditions including the surface treatments of MgO substrates. Junction characteristics at 4 K were dependent...
Thick InGaAsN layers were successfully grown on InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE) method. The secondary ion mass spectroscopy (SIMS) analysis showed the nitrogen concentration in an InGaAsN layer was uniform. X-ray diffraction (XRD) measurements showed the crystalline quality of InGaAsN layer can be improved by post-growth annealing at a proper temperature. XRD and photoluminescence (PL)...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.